TOSHIBA 2N3A3620-B 产品说明,产品参数,产品规格,产品应用
TOSHIBA 2N3A3620-B 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,适用于各种高频电力应用。产品采用 TO-220SIS 封装,可承受高达 600V 的电压,最大漏极电流可达 10A。以下是产品的详细参数和规格:
产品参数
- 厂商:TOSHIBA
- 产品型号:2N3A3620-B
- 封装:TO-220SIS
- 最大漏极电流:10A
- 最大漏极-源极电压:600V
- 最大门极-源极电压:±30V
- 静态损耗:1.4W
- 开关时间:30ns
- 导通电阻:0.35Ω
产品规格
- 工作温度:-55℃ ~ 150℃
- 存储温度:-55℃ ~ 150℃
- 湿度:≤90%
- 封装形式:管装
- 封装材料:环保材料
产品应用
TOSHIBA 2N3A3620-B 适用于各种高频电力应用,如电源开关、逆变器、电机驱动器等。产品具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力等特点,广泛应用于各种工业和消费电子产品中。
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