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TOSHIBA 2N3A3620-B 模块

TOSHIBA 2N3A3620-B 产品说明,产品参数,产品规格,产品应用

TOSHIBA 2N3A3620-B 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,适用于各种高频电力应用。产品采用 TO-220SIS 封装,可承受高达 600V 的电压,最大漏极电流可达 10A。以下是产品的详细参数和规格:

产品参数

TOSHIBA 2N3A3620-B(4).jpg


  • 厂商:TOSHIBA
  • 产品型号:2N3A3620-B
  • 封装:TO-220SIS
  • 最大漏极电流:10A
  • 最大漏极-源极电压:600V
  • 最大门极-源极电压:±30V
  • 静态损耗:1.4W
  • 开关时间:30ns
  • 导通电阻:0.35Ω

产品规格

TOSHIBA 2N3A3620-B(3).jpg

  • 工作温度:-55℃ ~ 150℃
  • 存储温度:-55℃ ~ 150℃
  • 湿度:≤90%
  • 封装形式:管装
  • 封装材料:环保材料

产品应用

TOSHIBA 2N3A3620-B 适用于各种高频电力应用,如电源开关、逆变器、电机驱动器等。产品具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力等特点,广泛应用于各种工业和消费电子产品中。

如果您需要更多关于 TOSHIBA 2N3A3620-B 的信息,请联系我们的销售代表获取更多详细信息。


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